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先进电子材料项目启动了北京大学、清华大学等14个单位,共同开发第三代半导体氮化物

发布时间:2019-12-30 17:26 作者:大华彩票 点击量:130

  文摘:10月18日,北京大学!、清华大学等14个单位联合开展了氮化物半导体新结构材料和新功能设备研究项目。本项目;是战略先;进、电子材料研发项目的重点.

  2018年10月18日,北京大学作为领导单位。;清华大学中国科学院苏。州纳米技术与纳米仿生研究所等14个单位联合&#;开展了氮化物半导体新结构,材料和新功、能设备研究项目。

  战略先进电子材料的实施周期为5年(2、016-2020年)。根据第三代半导体材料和半导!体照!明;新显示的、大功率激光材&#;料和设备的高端光电子和微电子材料,共部署了35项研究任务。计划在2018年开展5项研究、项目。

  据报道,氮化物半导体新结构材料和新功能设备研究!项目围绕后摩尔信息领域对光电子和电子设备的需求。对基于氮化物半导体的新。结构材料和新功能设备进行了研究。突;破了氮化物半导体的零维量子点、一维量子线和二维量子夹及其复合结构。深入研究低维量子结&#;构中载流。子&#;的运输/运输/运输/运行及其监管法。开发了&#;单光子源紫外红外双色探测器泰赫兹发射和探测设备和自旋场效应晶体管装置,形成独立知识产权的、核心技&#;术。为第三代半导体材料和设备的连续。发展奠定了基矗

  &#;第三代半导体材料和相关设备芯!片由氮化镓(GaN)碳化硅(Sic)代表。具有禁带宽突破电场强度高、饱和电子迁。移率高、热导率高、介&#;电常数孝抗辐射能力强等优点。广泛应用于新能源汽车轨道交通智能电网、新一&#;代移动消费电子等领域。它被认为是支持能源、交通信息、国防等行业发展的核心技术。郝悦院士说,氮化物材料系统的总体发展是非常好的。首先,它在光电LED领域取得了巨大的成功,微波电子设备领域开始得到广泛的应用。特别是在移动通信和国防领域&#;(雷达电子对抗通信等)。&#;然而,由于我国对SiCGaN材料和设备的,研究较晚,与国外,相比仍存在差距。迫切需要改!进SiC和GaN材!料的准大华彩票备和质量。



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